MANUFACTURING DESCRIPTION | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Manufacturer’s JEDEC ID Code: | G-Skill Intl | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Module Manufacturing Location: | 54h | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Module Part Number: | CL3-4-4-8-Gskill | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Module Revision Code: | 0000h | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Module Manufacturing Date: | Week 2, 2004 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Module Serial Number: | 00000000h | ||||||||||||||||||||||||||||||||
LEGITIMATE ARCHITECTURES | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fundamental Memory Type: | DDR SDRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DIMM configuration type: | Non-ECC/Parity | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Number of Row Addresses: | 13 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Number of Column Addresses: | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Number of DIMM Banks: | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Module Bank Density: | 256 MB | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Number of Banks on SDRAM Device: | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Module Data Width: | 64 bits | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Primary SDRAM Width: | x8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Error Checking SDRAM Width: | N/A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Voltage Interface Level: | SSTL 2.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Refresh Rate/Type: | 7.8 us Self Refresh | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDR SDRAM DIMM Height: | N/A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
TIMING SPECIFICATIONS | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Burst Lengths Supported: | 2, 4, 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAS# Latencies Supported (tCL): | 3T, 2.5T | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS# Latency: | 0T | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| WE# Latency (Write Delay): | 1T | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Cycle time at Max CAS Latency: | 3.6 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SDRAM Access from Clock (tAC): | 0.65 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Minimum Clock Cycle at tCL = X - 0.5: | 5.0 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Max Data Access Time at tCL = X - 0.5 (tAC): | 0.70 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Minimum Clock Cycle at tCL = X - 1: | 0.0 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Max Data Access Time at CL = X - 1 (tAC): | 0.00 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Minimum Active to Precharge Time (tRAS): | 40.0 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Minimum RAS to CAS delay (tRCD): | 20.0 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Minimum Row Precharge Time (tRP): | 20.0 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Min Active to Active/Auto Refresh Time (tRC): | 55.0 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Min Auto Ref to Active/Auto Refresh (tRFC): | 70.0 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Min Row Active to Row Active delay (tRRD): | 10.0 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Addr and CMD Input Setup Time Before Clock: | 0.60 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Addr and CMD Input Hold Time After Clock: | 0.60 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Data Input Setup Time Before Clock: | 0.40 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Data Input Hold Time After Clock: | 0.40 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Device Max device cycle time (tCKmax): | 10.0 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Max skew between DQS and DQ signals: | 0.40 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Max Read Data Hold Skew Factor: | 0.50 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Back-to-Back Random Col Access (tCCD): | 1T | ||||||||||||||||||||||||||||||||
SPD PROTOCOL | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Number of bytes written into SPD: | 128 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Total number of bytes of SPD: | 256 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPD Revision: | 0.0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Checksum for Bytes 0-62: | 6Ch | ||||||||||||||||||||||||||||||||
SUMMARY SPECIFICATION | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Module Type: DDR SDRAM PC4448 (DDR556) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Module Size: 512 MB | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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